Рис. 2. а) Установка молекулярно-пучковой эпитаксии, на которой были выращены лазерные гетероструктуры на основе InN; б) схема оптического возбуждения лазерной генерации; в) спектры стимулированного инфракрасного излучения при различных мощностях накачки.