Внутрирезонаторная генерация
ик и терагерцового излучения
в гетеролазерах
На основе предложенных и развитых сотрудниками института идей впервые в мире было получено когерентное излучение на разностной и суммарной частотах в двух- и многочастотных диодных лазерах на основе GaAs/InGaAs/InGaP-гетероструктур специальной конструкции, содержащих различные квантовые ямы и обеспечивающих внутрирезонаторное смешение разночастотных мод благодаря квадратичной нелинейности полупроводника при комнатной температуре. В частности, уже в простейшей, так называемой двухчиповой конструкции подобных лазеров мощность излучения разностной частоты для среднего инфракрасного диапазона длин волн (8 мкм при длинах волн мод лазерной генерации 0,99 мкм и 1,13 мкм) достигает 1 мкВт при мощности лазерных мод ~1 Вт (работа проведена совместно с ИФМ РАН и НИФТИ ННГУ). В результате экспериментального и теоретического анализа ряда сконструированных и созданных двухчастотных лазеров, прежде всего межзонных каскадных лазеров с туннельным переходом и двухчиповых гетеролазеров с комбинированным резонатором, обеспечивающих устойчивую двухцветную генерацию, найдены способы, позволяющие довести их излучение на разностной частоте до милливаттного уровня мощности и перенести его в дальний ИК-диапазон при комнатной температуре. Один из первых образцов (справа — увеличен) двух состыкованных лазерных диодов, образующих общий комбинированный резонатор, в котором осуществлялась наблюдаемая генерация когерентного излучения разностной частоты
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||