Шайкин Андрей Алексеевич
зав. лаб. 371, к.ф.-м.н.
Образование:
1988 г. - окончил физико-технический факультет Горьковского политехнического института по специальности «инженерная электрофизика»,
2001 г. защитил кандидатскую диссертацию «излучение и распространение волн нижнегибридного диапазона в магнитоактивной плазме», руководитель д.ф.-м.н. Заборонкова Т.М., к.ф.-м.н. Костров А.В.
Область научных интересов:
Твердотельные лазеры с высокой энергией и с дифракционной расходимостью, термооптика твердотельных лазеров, петаваттные лазеры, оптические параметрические усилители чирпированных фемтосекундных лазерных импульсов, нелинейная оптика, взаимодействие мощного оптического излучения с веществом.
Профессиональная карьера:
1982-1988 гг. – студент Горьковского политехнического института
1988 г. - н/вр. – стажер-исследователь, младший научный сотрудник, научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией Института прикладной физики РАН
Принимал участие в нескольких научных экспериментах в университете Флориды
Членство в профессиональных организациях:
уч.сов. ОНДиО.
Награды, премии, гранты:
Премия Правительства РФ (2012)
Педагогическая деятельность:
лекции в ЛФМШ;
учебные и научно популярные передачи на нижегородском ТВ;
проведение лабораторных работ для студентов факультетов ВШОПФ, РФ (ННГУ);
руководство дипломными работами студентов факультетов ВШОПФ, РФ (ННГУ) и НГТУ;
подготовлен 1 кандидат физ.-мат. наук
Количество публикаций:
30 статей в реферируемых научных журналах.
Наиболее значительные работы и результаты:
Создан петаваттный фемтосекундный лазерный комплекс, созданный в ИПФ РАН. Ключевой особенностью комплекса является использование нового принципа – параметрического усиления частотно-модулированных лазерных импульсов. На момент создания комплекс входил в пять наиболее мощных лазерных систем в мире, мощность его излучения на порядок превосходит ранее достигнутый в России уровень.
Разработана и создана новая конструкция оптического усилителя (квантрона) для большеапертурных активных элементов, позволившая более чем на порядок повысить частоту следования импульсов накачки.
Создан прототип лазера накачки для усилителей чирпированных импульсов на Ti:Sa, работающий с высокой пиковой и средней мощностью.
